sentaurus tcad 2018

sentaurus tcad 2018是一款TCAD類的軟件，也就是仿真軟件，主要是為半導體工藝模擬以及器件模擬的工具，對于一些硬件開發(fā)人員來說，一款好的仿真軟件能夠讓其制作的硬件更加有用、好用且功能強大，在tcad的軟件中sentaurus可以說是比較全面且不錯的仿真軟件，尤其是在3D仿真上面更是做了更強大的優(yōu)化，算法收斂性和速度以及并行計算能力有了很大的提高，舉個例子，3D氧化的浮動便捷問題是一個行業(yè)難題，在sentaurus中有了針對性的改進，讓我們的用戶在這一方面使用上更加得心應手。
作為業(yè)內首屈一指的工藝和器件仿真軟件，sentaurus tcad 2018涵蓋了眾多模型(聲光電等等，應有盡有，還支持用戶使用API接口)、默認的材料參數(shù)(雖然目前部分材料參數(shù)不是很全，但是在業(yè)內是最多的了)，龐大又豐富的功能，如果利用得當，sentaurus tcad 2018可以說是非常準確且實用的，不過目前這款軟件只能夠在Linux系統(tǒng)上運行，用戶可以下載本站的rhel 6.5 64位在虛擬機上使用我們的這款軟件，另外這款軟件只支持64為系統(tǒng)，請用戶們注意。

模塊介紹

Sentaurus Device模塊
隨著集成電路制程技術的長足發(fā)展, 集成化器件的特征尺寸已由超深亞微米逼近nm 級層次。器件特征尺寸的等比例縮小, 器件結構已達到臨界尺度并接近于電子的相干距離。器件物理特性的分析也進入量子力學的分析層次。諸多經(jīng)典的器件物理模型( 二維器件物理特性分析系統(tǒng)Medici-Synopsys Inc.) 已不能夠滿足nm 級器件的解析分析要求。對于nm 級器件, 諸多小尺寸效應所呈現(xiàn)出的各向異性對器件核心參數(shù)的影響越發(fā)顯著。近幾年對進一步完善小尺寸器件物理模型并提升器件物理特性模擬與分析工具的仿真技術需求也越發(fā)迫切。SenTaurus Device 面向最新的nm 級集成工藝制程和器件結構, 基于小尺寸器件物理效應, 可實現(xiàn)甚大規(guī)模( ULSI) 集成器件的器件物理特性級虛擬分析。顯然, SenTaurus Device 與工藝制程級仿真接口, 完成了器件物理特性的虛擬測試, 構成了完整的集成電路芯片級的底層設計。SenTaurus Device整合了Avanti的Medici、TaurusDevice及ISE的DESSIS 器件物理特性級仿真工具, 充實并修正了諸多器件物理模型, 推出了新的器件物理特性分析工具SenTaurus Device。
    Sentaurus Device模塊作為業(yè)界標準器件的仿真工具, 可以用來預測半導體器件的電學、溫度和光學特性, 通過一、 二、三維的方式對多種器件進行建模, 包括SOI、 Strain Silicon、SiGe、BiCMO、 HBT、IGBT、MOSFET等, 從簡單的二極管、 三極管, 到復雜的CMOS器件、 光電器件、功率器件、射頻器件、存儲器件等都有準確的模型。不僅可以準確快捷地進行傳統(tǒng)半導體工藝流程模擬和器件仿真，對于各種新興及特殊器件，例如深亞微米器件、絕緣硅(SOI)、SiGe、功率器件、高壓器件、異質結、光電器件、量子器件及納米器件也同樣都可以進行精確有效的仿真模擬。
此模組采用現(xiàn)有的最先進的商用模型, 無需流片就可以對器件設計進行模擬和優(yōu)化以達到最好的性能. 這就避免的成本高昂的實驗和多次FAB流片損失。 
◆ 無需制造出實際的器件就可以通過仿真來預測半導體器件的電氣特性；
◆ 基于先進的C++軟件架構和成熟高效的數(shù)值解析算法,具有極強的擴展能力；
◆ 可以得到任意工作條件下端口的靜態(tài)和瞬態(tài)的電壓和電流；
◆ 通過電位、電場、載流子、電流密度、電子復合與生成的分布率等方面深入了解器件的內在物理機制；
◆ 業(yè)界先進的載流子隧穿模型, 包括非局域隧穿、熱電子發(fā)射、直接隧穿、準確地模擬量子器件、異質結器件和光學器件；
◆ 無需制造出實際的器件就可以對器件進行優(yōu)化并找出理想的結構參數(shù)；
◆ 研究擊穿和失效的機理，如漏電流路徑和熱載流子效應；
◆ 為生成小型模型而準備數(shù)據(jù)，以便在流片前對電路設計進行分析；
◆ 采用PEMI(physical Model and Equation Interface)進行仿真，在仿真時引入用戶定義的物理模型和方程。
Sentaurus Process模塊
Synopsys Inc.的Sentaurus Process 整合了： 
⑴Avanti 公司的TSUPREM系列工藝級仿真工具（Tsupremⅰ、Tsupremⅱ、Tsupremⅲ只能進行一維仿真，到了第四代的商業(yè)版Tsuprem4能夠完成二維仿真模擬）；
⑵Avanti公司的Taurus Process 系列工藝級仿真工具；
⑶ISE Integrated Systems Engineering公司的ISE TCAD工藝級仿真工具Dios（二維工藝仿真）FLOOPS-ISE（三維工藝仿真）Ligament（工藝流程編輯）系列工具，將一維、二維和三維仿真集成于同一平臺。
在保留傳統(tǒng)工藝級仿真工具卡與命令行運行模式的基礎上，又作了諸多重大改進：
⑴增加、設置了模型參數(shù)數(shù)據(jù)庫瀏覽器（PDB），為用戶提供修改模型參數(shù)及增加模型的方便途徑；
⑵增加、設置了一維模擬結果輸出工具（Inspect）和二維、三維模擬結果輸出工具（Tecplot SV）。Inspect 提供了一維模擬結果的交互調閱。而Tecplot SV 則實現(xiàn)了仿真曲線、曲面及三維等輸出結果的可視化輸出。（實際為ISE TCAD的可視化工具Inspect和tecplot的繼承）
此外，Sentaurus Process 還收入了諸多近代小尺寸模型。這些當代的小尺寸模型主要有：
⑴高精度刻蝕模型及高精度淀積模型；
⑵基于Crystal-TRIM 的蒙特卡羅（Monte Carlo）注入模型、離子注入校準模型、注入解析模型和注入損傷模型；
⑶高精度小尺寸擴散遷移模型等。
引入這些小尺寸模型，增強了仿真工具對新材料、新結構及小尺寸效應的仿真能力，適應未來半導體工藝技術發(fā)展的需求。
Sentaurus Process是業(yè)界標準的工藝仿真工具，可以對IC生產(chǎn)工藝進行優(yōu)化以縮短產(chǎn)品開發(fā)周期和產(chǎn)品定型。此模塊是一個全面的高度靈活的一、 二、三維工藝模擬工具，擁有快速準確的刻蝕與參雜模擬模型，由基于Crystal-TRIM的蒙特卡羅(Monte Carlo)離子注入模型和先進的離子注入校準表，離子注入分析和缺陷模型以及先進的擴散模型。
Synopsys公司還研發(fā)了一個基于Levelset方法的網(wǎng)格模塊工具，此模塊具有高品質的各向異性格柵(anisotropic grids)和高速解決方案。所有這些使模擬結果更加準確和可靠。經(jīng)過大量最新試驗的校準，運用Synopsys公司的精確校準手段，Process在Si/SiGe器件領域具有非常強大的預測能力。另外，Synopsys公司還提供了經(jīng)過檢驗的校準參數(shù)庫。
◆設計先進的Si/SiGe、BiCMOS和SOI技術的器件及其制造工藝；
◆通過準確仿真離子注入、擴散、氧化、硅化物生長、外延生長、蝕刻、淀積和光刻膠工藝等步驟來預測一、二、三維產(chǎn)品結構特性；
◆評估并改進傳統(tǒng)和新型隔離技術如LOCOS、SWAMI、深溝道隔離和淺溝道隔離（STI）；
◆研究離子注入工藝，包括晶圓片傾斜和旋轉、屏蔽、注入損傷、無定型結晶、PAI、氧化物篩選、離子溝道等各種效應；
◆研究雜質擴散，包括氧化增強擴散（OED）、瞬態(tài)增強擴散（TED）、空隙聚積、摻雜激活和摻雜劑量損失；
◆研究所有的層在高溫環(huán)境下熱氧化，硅化物生長、熱匹配失調、蝕刻、淀積和應力釋放等因素作用下所受力的歷史紀錄；
◆測定基本的電氣特性，包括面電阻、閾值電壓、C-V特性曲線（包括量子力學校正）；
◆進行二維、三維器件分析并建立工藝結構。
Device Editor模塊
此模塊具有三個操作模式：二維器件編輯、三維器件編輯、三維工藝流程模擬。幾何操作和工藝模擬可以自由組合，增加了生成三維器件的靈活性。幾何操作通過幾何內核來進行，Device Editor提供了先進的可視化工具，用戶可以清楚地看到創(chuàng)建器件的每個步驟，功能強大的透視功能使得用戶可以選擇觀看特定區(qū)域或者透明化某些區(qū)域。
Workbench模塊
此模塊集成了Synopsys的TCAD各模塊工具的圖形前端集成環(huán)境，用戶可以通過圖形界面來進行半導體研究及其制備工藝模擬和器件仿真的設計，組織和運行。使用戶可以很容易建立IC工藝流程以便TCAD進行模擬，還可以繪制器件的各端口電學性能等重要參數(shù)．
◆優(yōu)化IC制造工藝，是真正的Virtual Wafer Fab系統(tǒng)；
◆縮短產(chǎn)品開發(fā)周期；
◆令設計更符合制造的要求以最大提高產(chǎn)量；
◆可以評估和折中設計的各種方案。